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有机场效应晶体管阈值电压的调制方法

摘要

本发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,该方法包括:提供有机场效应晶体管;根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层;对有机场效应晶体管施加电压脉冲;经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源。通过本发明的上述技术方案,解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂,自由度地的问题,并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间,该方法自由度大,易于调整有机场效应晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN102104113B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200910311849.X

  • 发明设计人 商立伟;刘明;姬濯宇;

    申请日2009-12-18

  • 分类号

  • 代理机构北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人王建国

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-07

    授权

    授权

  • 2011-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20091218

    实质审查的生效

  • 2011-06-22

    公开

    公开

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