机译:用于N沟道MOS2和P沟道MOTE_(2)场效应晶体管的可逆和可控阈值电压调制通过多次计数器掺杂与ODTS / poly-l赖氨酸电荷增强剂
机译:用于N沟道MOS2和P沟道MOTE2场效应晶体管的可逆和可控阈值电压调制通过多次计数器掺杂,具有渗透/聚-L-赖氨酸电荷增强剂
机译:用氟化烷基硅烷表面掺杂有机场效应晶体管中的阈值电压控制
机译:具有聚(N-乙烯基咔唑)缓冲层的铜酞菁基有机场效应晶体管的阈值电压控制
机译:硅/硅锗调制掺杂的场效应晶体管,用于互补电路应用。
机译:调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压