形成含纳米丛集介电层的方法及包括上述介电层的装置

摘要

本发明揭示一种于半导体装置(300)的额外层(114，320)上形成介电层(300)的方法。该方法包括于额外层(114，320)上方沉积介电前驱化合物和额外前驱化合物，介电前驱化合物包括择自由钇系元素和镧系元素组成的族群的金属离子，且额外前驱化合物包括择自由第四族金属和第五族金属组成的族群的金属离子；将介电前驱化合物和额外前驱化合物分别化学转变为介电化合物和额外化合物，额外化合物于转变期间自我组装为多个纳米丛集核心(335)，位于由上述介电前驱化合物形成的上述介电层(330)内。因此形成具有优异电荷捕捉能力的一介电层。这一种介电层特别适合用于例如非易失性存储器的半导体装置。