首页> 中国专利> 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法

一种大高宽比衍射光学元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法,该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板,采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作,在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层,然后旋涂负性光刻胶,再次利用X射线曝光,并显影电镀刻蚀电镀种子层,进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模,利用X射线进行两次曝光的方法,制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102466967B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201010544430.1

  • 申请日2010-11-12

  • 分类号G03F7/00(20060101);G03F7/20(20060101);G02B5/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-26

    授权

    授权

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20101112

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号