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用于降低极低频线宽粗糙度的方法和设备

摘要

提供一种用于在图案化有机掩模下方的蚀刻层中形成蚀刻特征过程中减小极低频线宽粗糙度(LWR)的方法。处理图案化有机掩模以降低图案化有机掩模的极低频线宽粗糙度,包括通入包括H2的处理气体,其中该处理气体具有一定流率并且H2的流率是处理气体的流率的至少50%,由处理气体形成等离子,以及停止处理气体流。通过具有降低到非常低的LWR的图案化有机掩模蚀刻该蚀刻层。

著录项

  • 公开/公告号CN102089868B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN200980127927.9

  • 发明设计人 约翰·Y·亚当斯;大卫·杨;

    申请日2009-07-07

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人周文强

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20140402 终止日期:20140707 申请日:20090707

    专利权的终止

  • 2014-04-02

    授权

    授权

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20090707

    实质审查的生效

  • 2011-06-08

    公开

    公开

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