公开/公告号CN102400191B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳理工大学;
申请/专利号CN201110373059.1
申请日2011-11-22
分类号C25D3/56(20060101);C25D5/00(20060101);H01F1/055(20060101);H01F10/12(20060101);H01F41/26(20060101);
代理机构21209 沈阳利泰专利商标代理有限公司;
代理人李枢
地址 110159 辽宁省沈阳市浑南新区南屏中路6号
入库时间 2022-08-23 09:18:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-09
授权
授权
2012-06-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 3/56 申请日:20111122
实质审查的生效
2012-04-04
公开
公开
机译: 用于形成磁性薄膜的Ni-Fe合金溅射靶,磁性薄膜以及制造该Ni-Fe合金溅射靶的方法
机译: 用于形成磁性薄膜的Ni-Fe合金溅射靶,磁性薄膜以及制造该Ni-Fe合金溅射靶的方法
机译: 用于形成磁性薄膜的Ni-Fe合金溅射靶,磁性薄膜以及制造该Ni-Fe合金溅射靶的方法