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一种对多晶硅CVD反应器辐射热损失的预估方法

摘要

一种对多晶硅CVD反应器辐射热损失的预估方法,基于蒙特卡洛法来准确获得辐射换热的关键技术参数——角系数,进而准确地求得CVD反应炉内的辐射热损失。本发明可以快速、准确地预估多晶硅CVD反应器的辐射热损失,其适用范围很广,尤其适用于任意硅芯对数和复杂结构的反应器。采用本发明提出的辐射热损失预估方法,可以为多晶硅CVD反应器的操作人员提供更加准确的辐射漏热数据,从而实现对工作电流的准确调控甚至为自动化控制提供必要的反馈信息,确保还原炉内硅芯的温度控制在更加准确有效的范围内,大大节约了反应耗能,并提高多晶硅产品的质量和生产的成品率,为企业带来极大的经济效益和社会价值。该方法同样适用于其它复杂结构的反应器的辐射漏热预估。

著录项

  • 公开/公告号CN102354336B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201110308457.5

  • 申请日2011-10-12

  • 分类号G06F19/00(20110101);C01B33/03(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-29

    授权

    授权

  • 2012-03-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 19/00 申请日:20111012

    实质审查的生效

  • 2012-02-15

    公开

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