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框状MEMS压阻谐振器

摘要

描述了一种新型的Si MEMS压阻谐振器。所述谐振器具有框形,例如环形框或多边形框,具有两个或更多锚定点。使用位于谐振结构的外缘或内缘的电极,来将该结构静电激励为具有所需模式形状的谐振。将该结构上的一个或多个局部掺杂区用于信号的压阻读出。在最优选的实施例中,该结构是环,所述环具有四个锚定点、两个电极以及在该结构的不同段处的四个压阻区。压阻区交替地位于该结构的外缘和内缘,使得可以收集来自不同区域的相同符号的压阻信号。该器件的优势在于大读出信号、大电极面积、鲁棒性、抑制平面外振动以及更大的可使用线性范围。

著录项

  • 公开/公告号CN102187573B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP股份有限公司;

    申请/专利号CN200980140746.X

  • 发明设计人 金·范乐;约瑟夫·T·M·范贝克;

    申请日2009-10-13

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03H 9/02 授权公告日:20140129 终止日期:20151013 申请日:20091013

    专利权的终止

  • 2014-01-29

    授权

    授权

  • 2011-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 9/02 申请日:20091013

    实质审查的生效

  • 2011-09-14

    公开

    公开

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