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集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法

摘要

一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01~5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内,上、下提放至少三次,在槽内放置7天以内,取出再进行正常清洗。本方法工艺简单,效率高,成本低,不存在刷片损伤、划伤等现象,存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。

著录项

  • 公开/公告号CN1121060C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北工业大学;

    申请/专利号CN02116760.5

  • 发明设计人 刘玉岭;刘钠;张楷亮;李薇薇;

    申请日2002-05-10

  • 分类号H01L21/30;C11D1/00;

  • 代理机构12200 天津市学苑有限责任专利代理事务所;

  • 代理人李国茹

  • 地址 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-08

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2003-09-10

    授权

    授权

  • 2003-02-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-11-13

    公开

    公开

  • 2002-08-14

    实质审查的生效

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