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利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法

摘要

一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层;步骤2:在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形;步骤3:选择区域外延生长上分别限制层,使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层;步骤4:去掉介质掩膜图形;步骤5:在上分别限制层上大面积制作光栅;步骤6:在光栅7上生长接触层,完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。

著录项

  • 公开/公告号CN102820616B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201210319231.X

  • 发明设计人 梁松;张灿;朱洪亮;王圩;

    申请日2012-08-31

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-12

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/40 申请日:20120831

    实质审查的生效

  • 2012-12-12

    公开

    公开

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