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利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法

摘要

一种利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层;步骤2:在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形;步骤3:选择区域外延生长上分别限制层;步骤4:去掉介质掩膜图形;步骤5:在上分别限制层上制作光栅,不同掩膜对间距或宽度变化周期内的激光器光栅周期不同;步骤6:在光栅上生长接触层,完成制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时可以保证阵列单元激光器光学性能的一致性。

著录项

  • 公开/公告号CN104242059A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201410510052.3

  • 发明设计人 梁松;朱洪亮;

    申请日2014-09-28

  • 分类号H01S5/40;H01S5/30;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-18 07:55:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-09

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/40 申请公布日:20141224 申请日:20140928

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/40 申请日:20140928

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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