公开/公告号CN104242059A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201410510052.3
申请日2014-09-28
分类号H01S5/40;H01S5/30;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 07:55:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-09
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/40 申请公布日:20141224 申请日:20140928
发明专利申请公布后的驳回
2015-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/40 申请日:20140928
实质审查的生效
2014-12-24
公开
公开
机译: 一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译: 包括选择性地设置以控制发射区域中的反射率的介电膜的表面发射激光器元件,表面发射激光器阵列,光学扫描仪装置和图像形成设备
机译: 固态半导体激光器制造中InP外延选择性区域生长(SAG)中的掺杂控制