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用于在集成电路制造中形成亚基本图线尺寸图形的方法

摘要

一种用于在集成电路的制造中形成亚基本图线尺寸图形的方法,包括:提供一个其上沉积了介电层的基底;在该介电层上形成一个开口;在该基底之上沉积一个绝缘层,填充上述开口并覆盖所述介电层;以及化学机械抛光所述绝缘层,以暴露出所述介电层并在所述开口内形成一个绝缘柱,其中,基底被过度抛光,以除去在所述绝缘柱和所述介电层的界面处的介电层部分,通过除去该部分形成的沟槽构成亚基本图线尺寸图形。

著录项

  • 公开/公告号CN1121718C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西门子公司;

    申请/专利号CN98115620.7

  • 发明设计人 罗伯特·普莱斯尔;

    申请日1998-06-30

  • 分类号H01L21/768;H01L21/76;H01L21/302;H01L21/82;

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 联邦德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20030917 终止日期:20160630 申请日:19980630

    专利权的终止

  • 2016-02-10

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20160118 变更前: 变更后: 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-02-10

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20160118 变更前: 变更后: 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-03-27

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-03-27

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-03-27

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-03-27

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630

    专利申请权、专利权的转移

  • 2003-09-17

    授权

    授权

  • 2003-09-17

    授权

    授权

  • 2000-07-19

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-07-19

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-01-06

    公开

    公开

  • 1999-01-06

    公开

    公开

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