法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20030917 终止日期:20160630 申请日:19980630
专利权的终止
2016-02-10
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20160118 变更前: 变更后: 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2016-02-10
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20160118 变更前: 变更后: 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2013-03-27
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2013-03-27
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2013-03-27
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2013-03-27
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 登记生效日:20130226 申请日:19980630
专利申请权、专利权的转移
2003-09-17
授权
授权
2003-09-17
授权
授权
2000-07-19
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2000-07-19
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-01-06
公开
公开
1999-01-06
公开
公开
查看全部
机译: 在集成电路制造中沉积包含二氧化硅的层的方法,在集成电路制造中形成沟槽隔离的方法,在集成电路制造中沉积包括二氧化硅的层的方法以及在其上形成位线的方法存储单元的电容器阵列
机译: 集成电路叠置对准标记,包括叠置对准标记的基板,在集成电路制造中形成叠置对准标记的方法以及在集成电路制造中确定叠置对准的方法
机译: 集成电路制造中形成沟槽隔离的方法和集成电路制造方法