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多光区发光Ag、Ga、N 掺杂ZnO薄膜的制备方法

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摘要

多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜的制备方法，它涉及ZnO薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的单一掺杂的ZnO薄膜发光强度弱、发光区域少的技术问题。本发明的多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜的制备方法：将ZnO粉末和Ga

著录项

  • 公开/公告号CN102605317B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201210090553.1

  • 发明设计人 孟祥龙;林倩茹;雷黎;蔡伟;

    申请日2012-03-30

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/04 授权公告日:20131211 终止日期:20140330 申请日:20120330

    专利权的终止

  • 2013-12-11

    授权

    授权

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/04 申请日:20120330

    实质审查的生效

  • 2012-07-25

    公开

    公开

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