首页> 中国专利> 含镧系元素的前体的制备和含镧系元素的薄膜的沉积

含镧系元素的前体的制备和含镧系元素的薄膜的沉积

摘要

本文描述了沉积含稀土金属的层的方法及组合物。概括而言,所公开的方法使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的沉积方法沉积包含含稀土的化合物的前体化合物。所公开的前体化合物包括具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配体和脒配体。

著录项

  • 公开/公告号CN102057077B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200980120906.4

  • 发明设计人 V·R·帕里姆;C·杜萨拉;

    申请日2009-06-05

  • 分类号C23C16/18(20060101);C23C16/40(20060101);C07C257/14(20060101);C07F17/00(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人林柏楠;彭飞

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/18 授权公告日:20131113 终止日期:20140605 申请日:20090605

    专利权的终止

  • 2013-11-13

    授权

    授权

  • 2011-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/18 申请日:20090605

    实质审查的生效

  • 2011-05-11

    公开

    公开

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