在SONOS非挥发性存储器制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法

摘要

本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；包括以下步骤：步骤一、注入高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、注入和腐蚀SONOS非挥发性存储器沟道窗口；步骤四、生长ONO薄膜；步骤五、将高压器件栅极区域的ONO薄膜去除，露出硅衬底；步骤六、生长高压栅极氧化层；步骤七、将低压CMOS区域的ONO薄膜去除，露出硅衬底，同时在刻蚀过程中利用光刻胶保护高压栅极氧化层；步骤八、生长低压栅极氧化层。本发明有效的避免高压栅极氧化过程中低压器件及非挥发性存储器器件区域的硅消耗，从而有效减少电特性及可靠性性能变化。