基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法，本发明所描述的芯片利用ZnO纳米线作为压力传感器的压电元件，利用ZnO的压电效应将机械能转化为电信号，达到检测压力的目的；由于使用ZnO纳米线作为压电元件，相比于一般压电元件，ZnO纳米线可以利用自身的压电效应以及半导体与金属接触的肖特基接触，实现电荷的积累到释放的过程，因此不需要一般压电元件所需要的高阻抗输出放大电路，此外，通过合成高质量的纳米尺度结构可进一步实现压电式压力传感器的微型化。