用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液

摘要

本发明提供了一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2-5％，哌啶类氮氧自由基0.01-5％，表面活性剂0.1-15％，研磨颗粒0.5-20％和余量的水。本发明的抛光液可以在酸性条件下显著改变氮化硅的去除速率，调节二氧化硅与氮化硅的选择比，并具有配制工艺简单、抛光精度高等优点。