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形成平面化介质衬底表面以及处理半导体衬底表面的工艺

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摘要

在衬底形貌上形成空隙填充的平面化结构的介质材料，对于形成微电子器件很有用。首先淀积介质材料作为连续的干燥的介质层，优选SOG层。然后通过化学机械抛光(CMP)除去部分介质层。通过改变SOG层的成分和随后的CMP条件，选择结构的化学和机械特性。

著录项

公开/公告号CN1129173C

专利类型发明授权
公开/公告日2003-11-26

原文格式PDF
申请/专利权人联合讯号公司;
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申请/专利号CN96195054.4
发明设计人 L·福雷斯特;D·K·菜;R·郝斯尼;
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申请日1996-06-26
分类号H01L21/304;H01L21/306;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人邹光新
地址美国新泽西州
入库时间 2022-08-23 08:56:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-09-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/304 授权公告日:20031126 终止日期:20100626 申请日:19960626

专利权的终止
2004-04-21

专利实施许可合同的备案 IPC(主分类):H01L21/304 合同备案号:031000030213 让与人:霍尼维尔国际公司霍尼维尔知识产权公司受让人:应用材料公司电子视觉公司发明名称:形成平面化介质衬底表面以及处理半导体衬底表面的工艺授权公告日:20031126 许可种类:独占许可备案日期:20030708 合同履行期限:专利有效期内申请日:19960626

专利实施许可合同的备案
2003-11-26

授权

授权
1998-11-04

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1998-10-21

公开

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1. 形成平面化介质衬底表面以及处理半导体衬底表面的工艺 [P] . 中国专利： CN1129173C . 2003.11.26
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4. Package assembly including a semiconductor substrate in which a first portion of a surface of the semiconductor substrate is recessed relative to a second portion of the surface of the semiconductor substrate to form a recessed region in the semiconductor substrate [P] . 美国专利： US9257410B2 . 2016-02-09

机译：封装组件，包括半导体衬底，其中，半导体衬底的表面的第一部分相对于半导体衬底的表面的第二部分凹陷，以在半导体衬底中形成凹陷区域
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