退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101910706B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN200880124047.1
发明设计人 伊克巴尔·沙瑞芙;马克·塔斯卡尔;托尼·泽姆洛克;
申请日2008-12-17
分类号
代理机构上海胜康律师事务所;
代理人周文强
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:16:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-13
授权
2011-01-19
实质审查的生效 IPC(主分类):F17D 3/03 申请日:20081217
实质审查的生效
2010-12-08
公开
机译: 短蚀刻配方的气体传输延迟分辨率
机译: 短蚀刻配方的气体运输延迟解决方案
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:“气体蚀刻”等离子体“气体蚀刻”技术Cl F_3常温各向异性蚀刻的簇
机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:利用MOnte Carlo模拟预测短通道CMOS / SOI逆变器中的传输延迟
机译:气体通过纳米多孔聚碳酸酯径迹蚀刻膜的渗透:薄涂层的脉冲等离子体聚合,以调节气体的渗透性。
机译:压缩性配方和使用它的空气惰性气体一些碳氢化合物气体一些硅藻式简单气体和一些其他液体
机译:DVB-RCS2中专用访问的频谱效率与随机访问的短端到端传输延迟之间的权衡
机译:W / Wsi短栅极mEsFET的干蚀刻开发