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单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法

摘要

本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法,可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长,且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材,具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。

著录项

  • 公开/公告号CN102041551B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越化学工业株式会社;

    申请/专利号CN201010226110.1

  • 发明设计人 野口仁;

    申请日2010-07-06

  • 分类号

  • 代理机构北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人钟晶

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-25

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/04 申请日:20100706

    实质审查的生效

  • 2011-05-04

    公开

    公开

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