在低度偏轴碳化硅基片上的外延生长及利用其制造的半导体器件

摘要

本发明描述了一种在单晶SiC基片上外延生长SiC层的方法。该方法包括在隔室中将单晶SiC基片加热至至少1400℃的第一温度，向该隔室中引入载气、含硅气体和含碳气体；和在SiC基片的表面上外延生长SiC层。SiC基片以至少30℃/分钟的速率被加热至第一温度。SiC基片的表面以相对于基片材料的基面呈1°～3°的角度倾斜。