在化学气相沉积反应器中提高的多晶硅沉积

摘要

通过化学气相沉积(CVD)生产大量多晶硅的方法和过程，其中，普遍用于西门子型反应器中的传统的硅“细棒”被具有相似的电性能但表面积更大的异形硅丝所代替，例如硅管、硅带或其它形状的横截面。含有硅的气体，例如氯硅烷或硅烷，在丝的热表面上裂解并形成硅沉积物。无需改变反应器的尺寸，也无需增加丝的数量和长度，这些丝的更大的起始表面积即可确保更高的生产率。现有的反应器只需调整或替换丝的支架来使用新丝。所述硅丝由硅熔融物通过边缘限定薄膜供料生长(EFG)方法生长。这也使得所述硅丝的掺杂以及对新型反应器的电源的简化成为可能。