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金属In填充MgO纳米管及其制造方法和应用

摘要

本发明涉及一种金属In填充MgO纳米管温度控制器件,该器件主要由大量的In填充MgO纳米管压制而成。在温度大于150℃时,该器件的电阻由最大值猛然降低到最小值,通过检测电流,从而达到温度控制的目的;该器件的研制包括大量金属In填充MgO纳米管的制备以及对其压片。该器件对NdFeB等磁性材料做成的器件可进行温度控制,提高器件的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN102554254B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201110363603.4

  • 发明设计人 高义华;傅琰;孙敏;

    申请日2011-11-16

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人李佑宏

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-10

    授权

    授权

  • 2012-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 9/24 申请日:20111116

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

    公开

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