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公开/公告号CN102531610B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201110429542.7
发明设计人 刘永长;蔡奇;马宗青;余黎明;高志明;
申请日2011-12-16
分类号
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人王丽
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
入库时间 2022-08-23 09:14:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-19
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/58 申请日:20111216
实质审查的生效
2012-07-04
公开
机译: 具有高临界电流密度和高不可逆磁场的基于MgB2的超导体
机译: 基于具有高临界电流密度的mgb2超导体及其制造方法
机译: 具有高临界电流密度的基于MGB2的超级导体及其制备方法
机译:由nm-硼和μm-硼合成的未掺杂,甘氨酸掺杂以及铜和甘氨酸共掺杂的MgB_2的临界电流密度比较
机译:两步烧结提高了甘氨酸掺杂的MgB_2块体的合成效率和临界电流密度
机译:铜激活的低温烧结法制备的具有临界电流密度极高的甘氨酸掺杂的MgB_2块体的钉扎行为
机译:通过方法捕获磁场和Ti组元素的临界电流密度,原位方法和ex-aitu的MgB_2散装块和Ti组元素的临界电流密度掺杂效果
机译:化学掺杂对MgB2导线和散装样品的微观结构和超导性能的影响。
机译:FeO包覆的MgB2薄膜在高磁场下的临界电流密度的提高
机译:加工温度对纳米碳掺杂MgB2高场临界电流密度和上临界场的影响
机译:用于mgB2超导体的等离子体合成掺杂硼纳米粉末。第二阶段sBIR最终科学/技术报告。