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离子注入和等离子体沉积设备以及采用等离子体处理薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种离子注入和等离子体沉积设备,该设备包括离子源和真空室,其中,所述真空室壁上包括设置有抽真空口以及用于与所述离子源连通的开口;所述真空室内包括设置有放卷辊、冷却部件、收卷辊;所述冷却部件由至少所述1根冷却辊组成,所述冷却辊、所述放卷辊和所述收卷辊都相互平行,并且所述冷却辊的轴向与所述等离子体进入所述真空室的方向垂直;所述冷却辊与所述开口在水平高度上一一对应,或者所述开口与所述冷却辊在左右方向或者前后方向上一一对应;或者所述冷却辊相对应地位于所述开口的正下方或者正上方。本发明还提供了一种采用等离子体处理的方法。本发明提供的设备能够对薄膜进行连续的等离子体沉积和/或离子注入操作。

著录项

  • 公开/公告号CN101956171B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 珠海市创元电子有限公司;

    申请/专利号CN201010510359.5

  • 发明设计人 谢新林;杨念群;

    申请日2010-09-30

  • 分类号C23C14/46(20060101);C23C14/48(20060101);C23C14/56(20060101);

  • 代理机构11234 中国商标专利事务所有限公司;

  • 代理人万学堂;曾海艳

  • 地址 519031 广东省珠海市横琴镇海河街19号713室

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-23

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 申请日:20100930

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2013-06-12

    授权

    授权

  • 2012-11-21

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 登记生效日:20121019 申请日:20100930

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-10-31

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 申请日:20100930

    著录事项变更

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/46 申请日:20100930

    实质审查的生效

  • 2011-01-26

    公开

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