公开/公告号CN101956171B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 珠海市创元电子有限公司;
申请/专利号CN201010510359.5
申请日2010-09-30
分类号C23C14/46(20060101);C23C14/48(20060101);C23C14/56(20060101);
代理机构11234 中国商标专利事务所有限公司;
代理人万学堂;曾海艳
地址 519031 广东省珠海市横琴镇海河街19号713室
入库时间 2022-08-23 09:14:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-23
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 申请日:20100930
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-06-12
授权
授权
2012-11-21
专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 登记生效日:20121019 申请日:20100930
专利申请权、专利权的转移
2012-10-31
著录事项变更 IPC(主分类):C23C 14/46 变更前: 变更后: 申请日:20100930
著录事项变更
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/46 申请日:20100930
实质审查的生效
2011-01-26
公开
公开
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机译: 用于膜沉积的等离子体处理设备以及使用该等离子体处理设备的微晶硅层的沉积方法
机译: 用于执行等离子体处理的等离子体处理设备,例如膜沉积过程,表面改性过程以及对大矩形基板的蚀刻过程及其等离子体处理方法
机译: 等离子体处理方法,等离子体处理装置,等离子体化学气相沉积方法和等离子体化学气相沉积系统