具有减少的反向电流的结型二极管

摘要

公开了对硅-锗合金形成的二极管进行退火的方法，该方法使泄漏电流最小化。所述方法包括下述步骤：形成硅-锗合金的半导体柱；在第一温度加热所述柱至少30分钟，然后在高于所述合金的第一温度的第二温度下加热所述柱长达120秒钟。本发明进一步包括多个p-i-n二极管的单片三维存储器阵列，所述p-i-n二极管由硅-锗合金形成，并且已经经受两阶段加热工艺。