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具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管

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摘要

本发明揭示了具有低通态压(V

1. 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 [P] . 中国专利： CN101127368B . 2010.08.25
2. 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 [P] . 中国专利： CN101127368A . 2008-02-20
3. Gallium nitride based tunnel diodes with low forward voltage and low reverse current operation [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2315256B1 . 2015-04-08

机译：具有低正向电压和低反向电流操作的氮化镓基隧道二极管
4. Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation [P] . 美国专利： US7994512B2 . 2011-08-09

机译：具有低正向电压和低反向电流操作的氮化镓基二极管
5. Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2315256A3 . 2011-06-29

机译：具有低正向电压和低反向电流操作的氮化镓基二极管