包括在衬底的两个面上形成的平面形状电容器的超高密度容量

摘要

本发明描述了一种超高密度电容器设计，该设计利用两个晶片面集成到半导体衬底中，优选地Si衬底。电容器是柱状的，并且包括由电介质层(940)分开的电极(930、950)。在沟槽中提供穿过晶片整个厚度的通路连接(920)。