公开/公告号CN101866874B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司;
申请/专利号CN201010189312.3
申请日2010-06-01
分类号
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:14:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 授权公告日:20130522 终止日期:20170601 申请日:20100601
专利权的终止
2013-05-22
授权
授权
2013-05-22
授权
授权
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20100601
实质审查的生效
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20100601
实质审查的生效
2010-10-20
公开
公开
2010-10-20
公开
公开
查看全部
机译: 绝缘体上的应变硅结构/板的制造方法,涉及使锗层与硅层接触,该锗层的锗浓度为30%,过蚀刻阶段的持续时间低于20秒
机译: 基于绝缘体锗上的硅衬底的锗层的制备方法---
机译: 利用多孔层形成绝缘体上锗结构的方法及由该方法形成的半导体结构