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一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器

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摘要

本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构：依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜，以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜，具有高达5.4A/cm

1. 一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器 [P] . 中国专利： CN101859779B . 2013.05.29
2. 一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器 [P] . 中国专利： CN101789490B . 2012.09.05
3. A method to polarize at least one subregion of films composed of ferroelectric materials, as well as a method for the production of polarized elements for piezoelectric or pyroelectric sensor or sensors [P] . 德国专利： DE4344911C2 . 2003-04-03

机译：一种使由铁电材料构成的薄膜的至少一个子区域极化的方法，以及一种用于压电或热电传感器的极化元件的制造方法
4. A method to polarize at least one subregion of films composed of ferroelectric materials, as well as a method for the production of polarized elements for piezoelectric or pyroelectric sensor or sensors [P] . 德国专利： DE4344911A1 . 1994-07-07

机译：一种使由铁电材料构成的薄膜的至少一个子区域极化的方法，以及一种用于压电或热电传感器的极化元件的制造方法
5. Non-volatile ferroelectric memory utilizing residual polarization of a ferroelectric film [P] . 美国专利： US5737261A . 1998-04-07

机译：利用铁电薄膜的剩余极化的非易失性铁电存储器