具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件

摘要

本申请涉及具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件，根据各种实施例，提供一种MOSFET器件。MOSFET器件可以包括衬底；第一掺杂区域，设置于衬底中；第二掺杂区域，设置于衬底中，其中，第一掺杂区域与第二掺杂区域彼此横向相邻；第三掺杂区域，设置于第一掺杂区域中；第四掺杂区域，设置于第二掺杂区域中；栅极，设置于衬底上、在第一掺杂区域与第二掺杂区域上方以及在第三掺杂区域与第四掺杂区域间；以及至少一个高电阻区域，嵌入至少第二掺杂区域中，其中，第一掺杂区域具有第一导电类型，其中，第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域具有第二导电类型，其中，第一导电类型与第二导电类型不同。