形成半导体装置的高熔点金属硅化物的方法

摘要

一种形成半导体器件的高熔点金属的硅化物的方法，包括去除高密度杂质区的步骤，其作用是用来防止在掺杂杂质形成杂质扩散区步骤和退火使扩散层的钴和硅反应步骤之间在杂质扩散区域的表面上形成金属-硅化物层。上述在杂质扩散区域表面上形成金属-硅化物层的方法可顺利地进行，以此防止起始栅极耐电压值和较高的薄层电阻值的降低。