通过MBE和其它技术所生长的低缺陷光电子器件

摘要

通过分子束外延(MBE)使光电子器件生长的方法包括：在MBE生长室中提供基板；使n掺杂层、p掺杂层和在所述n掺杂层与所述p掺杂层之间的发光层在所述基板上生长；以及控制生长，使得所述发光层包括具有大于20％的In含量的多个含In量子阱层、具有大于1％的In含量的多个含In势垒层，并且不包括任何GaN势垒，其中使所述发光层生长包括使所述量子阱层和所述势垒层交替生长并且使得所述量子阱层具有小于5×1015/cm3的缺陷密度。