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MEMS流量传感器敏感结构的污染失效时间预测方法

摘要

本发明公开了一种MEMS流量传感器敏感结构的污染失效时间预测方法,包括:S1:根据MEMS流量传感器的工作环境、颗粒物沉积模型以及无量纲沉积速度,得到污染物沉积厚度随时间的变化关系;S2:根据MEMS流量传感器仿真模型评估沉积量对传感器测量误差的影响,得到污染物厚度与测量结果误差的关系;S3:根据所述得到污染物厚度与测量结果误差的关系、所述污染物厚度与测量结果误差的关系和测量误差的失效阈值,预测MEMS流量传感器由于敏感结构污染引发的失效时间。本发明能够预测MEMS流量传感器敏感结构的污染失效时间。

著录项

  • 公开/公告号CN115577594A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202211321234.7

  • 申请日2022-10-26

  • 分类号G06F30/23;G06F30/25;G01F1/684;G06F119/08;

  • 代理机构山东诺诚智汇知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人金峰

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 18:13:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    公开

    发明专利申请公布

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