一种提高生长效率的大尺寸物理气相法碳化硅生长坩埚

摘要

本发明涉及物理气相法碳化硅生产领域，尤其涉及一种提高生长效率的大尺寸物理气相法碳化硅生长坩埚，其包括坩埚主体以及坩埚顶盖，坩埚主体从下至上依次包括粉源区以及籽晶生长区域，所述坩埚主体其底部中心处设置有一个向粉源区内部凸起的第一加热装置，同时在坩埚主体侧边设置有氩气入口以及氩气出口；所述坩埚顶盖朝向空腔的一侧放置有用于沉积碳化硅晶体的籽晶，坩埚顶盖的上方还设置有一个第二加热装置。本发明在坩埚主体底部增加了第一加热装置，提升了粉源中心温度，同时在坩埚主体侧边壁面增加了氩气入口，在氩气气流的作用下，靠近坩埚壁面的高温气流被输送至粉源中心，进一步提升了粉源中心温度，同时也提高了粉源内部温度分布的均匀。