一种降低双极正向压降的SiC MPS二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种降低正向压降的SiC JBS二极管及其制作方法，所述的降低双极正向压降的SiC MPS二极管，包括n+‑SiC衬底，衬底上依次为n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上表面具有若干沟槽，在沟槽里填充若干p+‑NiO区，正面覆盖有阳极，衬底背面覆盖阴极。本发明在保证高击穿电压的同时，显著改善了SiC JBS的双极正向压降，增强了双极导通模式下的载流子注入效率，从而降低双极正向压降，提升器件的抗浪涌能力；并通过减薄二极管的衬底，降低器件的衬底体电阻，因此降低器件的总通态电阻，减小通态损耗。