STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法

摘要

本发明涉及STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法，MRAM系统包括：MRAM存储单元阵列和外围电路；所述MRAM存储单元阵列和所述外围电路相连；其中，所述MRAM存储单元阵列包括MRAM基本存储单元、字线、源线、位线；所述MRAM基本存储单元包括磁性隧道结和MOS管；相邻且同列的所述MRAM基本存储单元共用所述位线，同行的所述MOS管的栅极共用所述字线，同列的所述磁性隧道结共用所述源线；所述MOS管用于控制流过所述磁性隧道结的STT效应的电流和SOT效应的电流。本发明通过STT和SOT的共同作用可以有效降低存储器的写入电流密度，且相邻存储单元共用位线，可提高存储器的存储密度。