一种基于SOT-MRAM的读写方法、读写电路及SOT-MRAM

摘要

本发明提供了一种基于SOT‑MRAM的读写方法、读写电路及SOT‑MRAM。该读写方法包括：向SOT层通入写电流，以翻转磁性隧道结中自由层的磁化方向，使自由层与参考层的磁化方向处于平行态或反平行态；读取磁性隧道结的电容值；根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是处于第二状态。通过读取磁性隧道结的电容值，并根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是第二状态，实现对存储单元内的数据“0”和“1”的识别读取。采用磁电容式的SOT‑MRAM，对MTJ的生长条件、材料选择以及读取电路的灵敏度相对于电阻式SOT‑MRAM要求较低，使磁电容式SOT‑MRAM对磁性隧道结的生长条件和材料选择不像磁电阻式SOT‑MRAM那样苛刻，降低制造和读取SOT‑MRAM的难度。