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READ-WRITE CONVERSION CIRCUIT, READ-WRITE CONVERSION CIRCUIT DRIVING METHOD, AND MEMORY

机译:读写转换电路,读写转换电路驱动方法和内存

摘要

A read-write conversion circuit, a read-write conversion circuit driving method, and a memory are provided. The read-write conversion circuit includes a first precharge circuit, a positive feedback circuit, a second precharge circuit, a fourth switch unit, a sixth switch unit, a seventh switch unit, an eighth switch unit, a tenth switch unit, an eleventh switch unit, a twelfth switch unit, a thirteenth switch unit, a fourteenth switch unit, and a fifteenth switch unit. In the read-write conversion circuit, corresponding signals can be read from a third signal terminal and a fourth signal terminal by using only one of a first signal terminal or a second signal terminal in a signal read stage, and corresponding signals can be written to the first signal terminal and the second signal terminal by using only one of the third signal terminal or the fourth signal terminal in a signal write stage.
机译:提供读写转换电路,读写转换电路驱动方法和存储器。 读写转换电路包括第一预充电电路,正反馈电路,第二预充电电路,第四开关单元,第六开关单元,第七开关单元,第八开关单元,第十开关单元,第十一开关 单元,第十二开关单元,第十三开关单元,第十四开关单元和第十五开关单元。 在读写转换电路中,可以通过仅在信号读取阶段中的第一信号端子或第二信号端子中的一个来从第三信号端子和第四信号端子读取相应的信号,并且可以写入相应的信号 第一信号端子和第二信号端子通过在信号写入级中仅使用第三信号端子或第四信号端子中的一个。

著录项

  • 公开/公告号US2021319814A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US202117356775

  • 发明设计人 WEIBING SHANG;

    申请日2021-06-24

  • 分类号G11C7/10;G06F13/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 21:40:20

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