采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法

摘要

本发明公开了一种采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，包括如下步骤：第一步，浅沟隔离刻蚀；第二步，缓冲氧化层切口刻蚀；第三步，氮化硅第一次回刻；第四步，在浅沟隔离露出的硅表面生长衬垫氧化层；第五步，氮化硅第二次回刻。该方法可以改善STI角部圆化轮廓，同时也改善了氧化硅填充后的形貌，从而解决了后续工艺刻蚀残留的问题。