利用沟槽隔离形成的无闭锁垂直瞬态电压抑制二极管阵列结构

摘要

一种大体上按照垂直半导体功率器件制程来制造瞬态电压抑制二极管(TVS)阵列结构的方法，此方法包含以下步骤：在半导体衬底上的具有第一导电类型的外延层上开设若干个隔离沟槽，并在二个隔离沟槽之间应用体区掩膜来掺杂具有第二导电类型的体区。此方法进一步包含以下步骤：使用源极掩膜来植入若干个具有第一导电类型的掺杂区域，以构成若干个二极管，其中，若干个隔离沟槽隔离并阻止由于不同导电类型的掺杂区域之间的闭锁效应所引发的寄生PNP晶体管或寄生NPN晶体管。