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记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元寿命的方法

摘要

本揭露是一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。在一个态样中,记忆体控制器向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以将输入数据写入至记忆体单元。在一个态样中,记忆体控制器向记忆体单元施加具有大于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以延长记忆体单元的寿命。记忆体单元可包括电阻式记忆体装置或相位变化随机存取记忆体装置。在一个态样中,响应于判定记忆体单元已故障,记忆体控制器向记忆体单元施加第二脉冲以修复记忆体单元。在一个态样中,在记忆体单元故障之前,记忆体控制器周期性地向记忆体单元施加第二脉冲。

著录项

  • 公开/公告号CN115295067A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN202210248018.8

  • 申请日2022-03-14

  • 分类号G11C29/44;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

  • 入库时间 2023-06-19 17:27:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-04

    公开

    发明专利申请公布

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