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公开/公告号CN115295067A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202210248018.8
发明设计人 李永辉;廖珮君;林建宏;贺大伟;郭文贤;
申请日2022-03-14
分类号G11C29/44;
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2023-06-19 17:27:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-04
公开
发明专利申请公布
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机译: 铁电记忆体的制造方法以及铁电记忆体和电阻性记忆体的共同制造方法
机译: 挥发性记忆体,包含其的记忆体模组以及操作记忆体模组的方法
机译:日本Yu仓-记忆体检查方法(WMS-R)
机译:一种多学科的方法来了解工作记忆体系结构中的阅读障碍:基因型,表型,脑和指令。
机译:一种跨学科的方法来了解工作记忆体系结构中的阅读障碍:基因型,表型,大脑和指令。
机译:具有键合SOI的256M和1 Gbit的掩埋电容器DRAM单元记忆体
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