法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-09-28
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-05-28
授权
授权
2000-01-12
公开
公开
机译: 功率MOSFET器件,特别是具有溢流自保护开关的功率MOSFET器件的功率感测电阻的集成结构
机译: 具有改善的穿通电阻的半导体集成电路器件及其制造方法,包括低压晶体管和高压晶体管的半导体集成电路器件
机译: 具有改进的穿通电阻的半导体集成电路器件及其制造方法,包括低压晶体管和高压晶体管的半导体集成电路器件