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公开/公告号CN115274405A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202210884713.3
发明设计人 张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺;
申请日2022-07-26
分类号H01L21/02;C30B29/40;C30B25/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 17:25:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-01
公开
发明专利申请公布
机译: 使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法
机译: 一种使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法
机译: 砷化镓分子束外延生长中硅氮化镓扩散阻挡层的制备方法
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:InN在氧化镓上外延生长以及在氮化镓上改善的迁移增强余辉外延生长的初步结果
机译:硅纳米体的自组装多层,用于减少非和半镓氮化镓外延层的缺陷
机译:等离子体辅助分子束外延生长硅基氮化镓中应力消除AlN层的影响
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:硅纳米球的自组装多层用于减少非和半镓氮化镓外延层的缺陷
机译:外延氮化镓薄膜与硅基器件的生长与集成。