一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构

摘要

本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。