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【2h】

A local bottom-gate structure with low parasitic capacitance for dielectrophoresis assembly and electrical characterization of suspended nanomaterials

机译：具有低寄生电容的局部底栅结构，用于介电电泳组装和悬浮纳米材料的电学表征

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NSFC [61071010]

机译：国家自然科学基金委[61071010]

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作者
Wang Tun; Liu Bin; Jiang Shusen; Rong Hao; Lu Miao; 王暾;
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作者单位

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年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en_US
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1. A local bottom-gate structure with low parasitic capacitance for dielectrophoresis assembly and electrical characterization of suspended nanomaterials [J] . Tun Wang, Bin Liu, Shusen Jiang, Journal of Micromechanics and Microengineering . 2014,第5期

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