低腐蚀坑密度、低滑移线密度、以及低应变磷化铟

摘要

本发明公开了具有低腐蚀坑密度、低滑移线密度、以及低应变磷化铟的方法和晶片，其可以包括具有4英寸以上的直径，具有小于500cm‑2的测量的腐蚀坑密度，并具有通过X射线衍射成像测量的少于5个位错或滑移线的磷化铟单晶晶片。所述晶片可具有200cm‑2以下、或100cm‑2以下、或10cm‑2以下的测量的腐蚀坑密度。所述晶片可以具有6英寸以上的直径。测量的腐蚀坑密度为零的晶片面积可以是表面总面积的至少80％。测量的腐蚀坑密度为零的晶片面积可以是表面总面积的至少90％。