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一种通过原位化学气相沉积来生长卤化物钙钛矿纳米晶的方法

摘要

本发明公开了一种通过原位化学气相沉积来生长卤化物钙钛矿纳米晶的方法,方法包括步骤:将卤化铅粉末和卤化铯粉末研磨混合获得固相前驱体;将固相前驱体和介孔分子筛相互混合;将混合粉末放在氮气氛围中加热,使固相前驱体升华为气态并被吸附进介孔分子筛的孔道内;降低温度,使气相铅、铯和卤素原子在分子筛孔道内原位反应并形成卤化物钙钛矿纳米晶。本发明通过在分子筛孔道中原位气相生长Cs4PbBr6和CsPbBr3混合相,利用Cs4PbBr6来钝化CsPbBr3的表面缺陷,使CsPbBr3纳米晶的荧光量子产率达到90%以上,大大提高了其发光性能。同时,本发明通过调整卤化铅和卤化铯中的卤素种类,获得不同发光颜色的卤化物钙钛矿纳米晶,包括绿光CsPbBr3纳米晶、蓝光CsPbClxBr3‑x纳米晶、红光CsPbI3纳米晶。

著录项

  • 公开/公告号CN115261979A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江锌芯钛晶科技有限公司;

    申请/专利号CN202210919904.9

  • 发明设计人 樊超;戴兴良;何海平;

    申请日2022-08-01

  • 分类号C30B25/00;C30B29/12;

  • 代理机构宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人糜婧

  • 地址 325014 浙江省温州市瓯海区瓯海经济开发区凤南路26号国家大学科技园15号楼3楼301室

  • 入库时间 2023-06-19 17:20:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-01

    公开

    发明专利申请公布

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