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公开/公告号CN115185111A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 华为技术有限公司;
申请/专利号CN202110374346.8
发明设计人 董振;李彦波;
申请日2021-04-07
分类号G02F1/015;G02F1/025;
代理机构
代理人
地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
入库时间 2023-06-19 17:11:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
公开
发明专利申请公布
机译: 利用微加热器形成多晶硅的硅层的方法,形成PN结的方法和由该PN结形成的PN结
机译: 微加热器阵列,使用其的PN结形成方法以及包括大面积的微加热器阵列和PN结的PN结装置
机译: PN PN结光调制器及其制造方法
机译:Si调制器装载波导型垂直PN结分离器的制备
机译:双异质结PN结二极管光调制器的相位调制非线性
机译:单驱动50 Gbps集体Mach-Zehnder调制器的横向和L形PN结相移器的比较仿真研究
机译:Si光子晶体纳米胶质电光调制器,带波浪PN结
机译:优化的PN结和载体耗尽硅光调制器的三维集成
机译:偏振水驱动动态PN结基直流发电机
机译:具有横向pN结的高速载流子耗尽硅mach-Zehnder光调制器
机译:对于频率在0.5和18.5 mHz之间的si / siGe异质结pN二极管的等效电路和载波寿命的研究(Undersoekning av Ekvivalenta Kretsen samt Laddningsbaerarnas Livslaengder fr Frekvenser mellan 0,5 och 18,5 mHz i si / siGe Baserade Heterostruktur-Dioder av pN Typ)