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PN结制备的方法、PN结和调制器

摘要

本申请揭示了PN结、PN结制备方法和调制器。一种PN结包括平板波导层和设置在平板波导层上的沿特定方向间隔排列的多个波导。平板波导层包括在特定方向上交替排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域,且两个区域的交界处形成沿特定方向呈收尾相接的S型的载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的每一个包括P型掺杂区域和N型掺杂区域,两个区域的交界处形成一个载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的P型掺杂区域、N型掺杂区域和载流子耗尽区在平板波导区域表面的投影和平板波导层对应区域在平板波导区域表面的投影基本重合。该PN结的调制效率较高、光学损耗较低。可选地,该PN结可以采用倾斜角度离子注入掺杂实现,能够降低其制备成本。

著录项

  • 公开/公告号CN115185111A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华为技术有限公司;

    申请/专利号CN202110374346.8

  • 发明设计人 董振;李彦波;

    申请日2021-04-07

  • 分类号G02F1/015;G02F1/025;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

  • 入库时间 2023-06-19 17:11:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    公开

    发明专利申请公布

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