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一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法

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摘要

本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/455 授权公告日:20130327 终止日期:20150909 申请日:20100909

专利权的终止
2013-03-27

授权

授权
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20100909

实质审查的生效
2011-02-02

公开

公开

1. 一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101962758B . 2013.03.27
2. 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN102664147A . 2012-09-12
3. GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES [P] . 美国专利： US2014061819A1 . 2014-03-06

机译： CMOS器件上含锗通道中氧化硅和高K栅介质上氧化锗的无原子层沉积
4. GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2013074169A1 . 2013-05-23

机译： CMOS器件上含锗通道中氧化硅和高K栅介质上氧化锗的无原子层沉积
5. GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES [P] . 美国专利： US2013126986A1 . 2013-05-23

机译： CMOS器件上含锗通道中氧化硅和高K栅介质上氧化锗的无原子层沉积